В зарядных устройствах EPILSO применение GaN-транзисторов заменяет объёмные кремниевые аналоги на ключевых узлах преобразования тока. В отличие от традиционного кремния, GaN является полупроводниковым материалом нового поколения с более широкой запрещённой зоной. Это позволяет электронным компонентам работать на более высоких частотах, напряжениях и температурах при меньших размерах кристалла.
GaN-зарядки EPILSO при той же (или большей) выходной мощности значительно компактнее и легче кремниевых аналогов. Кроме того, они выделяют меньше тепла и обеспечивают более стабильную подачу напряжения при скачках в сети. Пользователь получает мощное устройство, которое не перегревается и помещается в кармане.